ПАК ФА прибыл в Жуковский для прохождения испытаний

Российский перспективный авиационный комплекс фронтовой авиации (ПАК ФА, Т-50) прибыл 8 апреля 2010 года на аэродром Летно-исследовательского института имени Громова в подмосковном Жуковском, говорится в пресс-релизе компании "Сухой". Самолет прибыл из Комсомольска-на-Амуре на военно-транспортном самолете ВВС России Ан-124 "Руслан". Как ожидается, в Жуковском будет продолжена летная программа испытаний ПАК ФА.

Испытания самолета возобновятся после того, как специалисты "Сухого" полностью соберут его. Предположительно, полеты возобновятся в конце апреля - начале мая 2010 года. Помимо самолета в Жуковский прибыл комплексный наземный стенд, на котором будет проводиться проверка систем и оборудования российского перспективного истребителя пятого поколения.

Первый полет Т-50 состоялся 29 января 2010 года на аэродроме Комсомольского-на-Амуре авиационного производственного объединения (КнААПО). К настоящему времени собраны уже три испытательных образца Т-50. В общей сложности ПАК ФА совершил шесть полетов, в ходе которых была осуществлена проверка устойчивости и управляемости самолета.

Разработка ПАК ФА ведется с 1990-х годов. Самолет создан с применением технологии малозаметности. По официальным данным, Т-50 будет способен выполнять боевые задачи в любую погоду и время суток, а также будет отличаться сверхманевренностью. ПАК ФА сможет совершать взлет и посадку на взлетно-посадочных полосах длиной 300-400 метров.

Предполагается, что Т-50 сможет развивать скорость до 2,6 тысячи километров в час и совершать перелеты на расстояние до 5,5 тысячи километров. Истребитель будет вооружен пушкой калибра 30 миллиметров. Кроме того, на истребителе, возможно, будут установлены десять точек подвески в закрытых бомбоотсеках, а также два дополнительных внешних пилона.

Впервые показана возможность использования мемристоров

Специалистам исследовательской лаборатории Hewlett-Packard удалось совершить фундаментальное открытие, в перспективе могущее привести к появлению быстродействующих процессоров нового поколения: впервые показана способность мемристоров работать в качестве логических элементов.

Массив мемристоров, созданный специалистами HP Labs. Ширина каждого из элементов — около 50 нм.

Мемристоры считаются четвертым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Возможность существования мемристора была предсказана в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли (США) Леоном Чуа (Leon Chua), однако на практике создать прототип мемристора долгое время не удавалось.

В 2008 году исследователям HP удалось получить опытный образец мемристора. Ключевой особенностью элемента данного типа является гистерезис, когда реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется ее собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Иными словами, ток может переключать элемент между двумя состояниями, а значит, есть шанс использовать мемристор в качестве элементарной ячейки памяти.

Ранее мемристоры рассматривались прежде всего как элементы для построения запоминающих устройств. Они энергонезависимы и обладают высоким быстродействием. Благодаря этому запоминающие устройства на основе мемристоров теоретически позволят заменить широко распространенную сейчас флеш-память и память DRAM.

Открытие НР позволяет говорить о том, что одной лишь областью запоминающих устройств применение мемристоров не ограничится. Использование их в качестве логических элементов теоретически может привести к появлению высокопроизводительных процессоров и гибридных микрочипов (содержащих вычислительные элементы и ячейки памяти), что позволит производителям и дальше следовать эмпирическому закону Мура. Кроме того, мемристоры могут пригодиться при создании «умных» дисплеев.